Wat is 'n MOSFET? Wat is die belangrikste parameters?

By die ontwerp van 'n skakelkragtoevoer of motoraandrywingkring met behulp vanMOSFET's, faktore soos die aan-weerstand, maksimum spanning en maksimum stroom van die MOS word algemeen oorweeg.

MOSFET-buise is 'n tipe FET wat vervaardig kan word as óf verbetering óf uitputting tipe, P-kanaal of N-kanaal vir 'n totaal van 4 tipes. verbetering NMOSFETs en verbetering PMOSFETs word algemeen gebruik, en hierdie twee word gewoonlik genoem.

Hierdie twee word meer algemeen gebruik is NMOS. die rede is dat die geleidingsweerstand klein is en maklik is om te vervaardig. Daarom word NMOS gewoonlik gebruik om kragtoevoer- en motoraandrywingtoepassings te skakel.

Binne die MOSFET word 'n tiristor tussen die drein en die bron geplaas, wat baie belangrik is om induktiewe ladings soos motors aan te dryf, en slegs in 'n enkele MOSFET teenwoordig is, nie gewoonlik in 'n geïntegreerde stroombaanskyfie nie.

Parasitiese kapasitansie bestaan ​​tussen die drie penne van die MOSFET, nie dat ons dit nodig het nie, maar as gevolg van beperkings van die vervaardigingsproses. Die teenwoordigheid van parasitiese kapasitansie maak dit meer omslagtig wanneer 'n drywerbaan ontwerp of gekies word, maar dit kan nie vermy word nie.

Die belangrikste parameters vanMOSFET

1, oopspanning VT

Oopspanning (ook bekend as die drempelspanning): sodat die hekspanning wat nodig is om 'n geleidende kanaal tussen die bron S en drein D te begin vorm; standaard N-kanaal MOSFET, VT is ongeveer 3 ~ 6V; deur prosesverbeterings kan die MOSFET VT-waarde tot 2 ~ 3V verminder word.

2, DC inset weerstand RGS

Die verhouding van die spanning bygevoeg tussen die hekbronpool en die hekstroom Hierdie eienskap word soms uitgedruk deur die hekstroom wat deur die hek vloei, die MOSFET se RGS kan maklik 1010Ω oorskry.

3. Dreineerbron-afbreking BVDS-spanning.

Onder die toestand van VGS = 0 (verbeter), in die proses om die drein-bronspanning te verhoog, neem ID skerp toe wanneer die VDS die drein-bron-afbreekspanning BVDS genoem word, ID neem skerp toe as gevolg van twee redes: (1) stortvloed afbreek van die uitputtingslaag naby die drein, (2) penetrasie-afbreking tussen die drein- en bronpole, sommige MOSFET's, wat 'n korter slootlengte het, verhoog die VDS sodat die dreinlaag in die dreineergebied uitgebrei word na die brongebied, wat die kanaallengte nul maak, dit wil sê om 'n drein-bronpenetrasie, penetrasie te produseer, sal die meeste van die draers in die bronstreek direk aangetrek word deur die elektriese veld van die uitputtingslaag na die dreinstreek, wat 'n groot ID tot gevolg het.

4, hek bron afbreekspanning BVGS

Wanneer die hekspanning verhoog word, word die VGS wanneer die IG vanaf nul verhoog word die hekbron-afbreekspanning BVGS genoem.

5、Lae frekwensie transgeleiding

Wanneer VDS 'n vaste waarde is, word die verhouding van die mikrovariasie van die dreinstroom tot die mikrovariasie van die hekbronspanning wat die verandering veroorsaak transgeleiding genoem, wat die vermoë van die hekbronspanning weerspieël om die dreinstroom te beheer, en is 'n belangrike parameter wat die versterkingsvermoë van die kenmerkMOSFET.

6, op-weerstand RON

Aan-weerstand RON toon die effek van VDS op ID, is die omgekeerde van die helling van die raaklyn van die drein eienskappe op 'n sekere punt, in die versadigingsgebied, ID verander amper nie met die VDS nie, RON is 'n baie groot waarde, gewoonlik in die tiene van kilo-Ohm tot honderde kilo-Ohm, want in digitale stroombane werk MOSFET's dikwels in die toestand van die geleidende VDS = 0, dus op hierdie punt, die aan-weerstand RON kan benader word deur die oorsprong van die RON om, vir algemene MOSFET, RON waarde binne 'n paar honderd ohm te benader.

7, inter-polêre kapasitansie

Interpolêre kapasitansie bestaan ​​tussen die drie elektrodes: hekbronkapasitansie CGS, hekdreinkapasitansie CGD en dreineerbronkapasitansie CDS-CGS en CGD is ongeveer 1~3pF, CDS is ongeveer 0.1~1pF.

8、Lae frekwensie geraas faktor

Geraas word veroorsaak deur onreëlmatighede in die beweging van draers in die pyplyn. Vanweë die teenwoordigheid daarvan vind onreëlmatige spanning- of stroomvariasies by die uitset plaas, selfs al is daar geen sein wat deur die versterker gelewer word nie. Geraasprestasie word gewoonlik uitgedruk in terme van die geraasfaktor NF. Die eenheid is desibel (dB). Hoe kleiner die waarde, hoe minder geraas produseer die buis. Die lae-frekwensie geraas faktor is die geraas faktor gemeet in die lae-frekwensie reeks. Die geraasfaktor van 'n veldeffekbuis is omtrent 'n paar dB, minder as dié van 'n bipolêre triode.