Wat is die vier streke van 'n MOSFET?

Die vier streke van 'n N-kanaal verbetering MOSFET

(1) Veranderlike weerstandstreek (ook genoem onversadigde streek)

Ucs" Ucs (th) (aanskakelspanning), uDs" UGs-Ucs (th), is die streek links van die voorafgeklemde spoor in die figuur waar die kanaal aangeskakel is. Die waarde van UD's is klein in hierdie streek, en die kanaalweerstand word basies slegs deur UG's beheer. Wanneer uGs seker is, ip en uDs in 'n lineêre verhouding, word die gebied benader as 'n stel reguit lyne. Op hierdie tydstip, die veld effek buis D, S tussen die ekwivalent van 'n spanning UGS

Beheer deur die spanning UGS veranderlike weerstand.

(2) konstante stroomgebied (ook bekend as versadigingsgebied, versterkingsgebied, aktiewe gebied)

Ucs ≥ Ucs (h) en Ubs ≥ UcsUssth), vir die figuur van die regterkant van die voorknyp van baan af, maar nog nie afgebreek in die streek, in die streek, wanneer die uGs moet wees, ib amper nie verander met die UD's, is 'n konstante-stroom kenmerke. i word slegs deur die UG's beheer, dan is die MOSFETD, S gelykstaande aan 'n spanning uGs-beheer van die stroombron. MOSFET word gebruik in versterkingskringe, oor die algemeen op die werk van die MOSFET D, S is gelykstaande aan 'n spanning uGs beheerstroombron. MOSFET wat in versterkingskringe gebruik word, werk gewoonlik in die streek, dus ook bekend as die versterkingsarea.

(3) Afsny area (ook genoem afsny area)

Afsny area (ook bekend as afsny area) om te voldoen aan die ucs "Ues (th) vir die figuur naby die horisontale as van die streek, die kanaal is alles afgeklem, bekend as die volle clip off, io = 0 , die buis werk nie.

(4) ligging van afbreeksone

Die afbreekgebied is in die streek aan die regterkant van die figuur geleë. Met die toenemende UD's word die PN-aansluiting aan te veel terugwaartse spanning en afbreking onderwerp, ip neem skerp toe. Die buis moet so bedryf word dat dit nie in die afbreekgebied werk nie. Die oordragkenmerkkromme kan afgelei word van die uitsetkenmerkkromme. Op die metode wat as 'n grafiek gebruik word om te vind. Byvoorbeeld, in Figuur 3 (a) vir Ubs = 6V vertikale lyn, sy snyding met die verskillende krommes wat ooreenstem met die i, Us-waardes in die ib- Uss-koördinate wat aan die kromme gekoppel is, dit wil sê om die oordragkenmerkkromme te verkry.

Parameters vanMOSFET

Daar is baie parameters van MOSFET, insluitend DC-parameters, AC-parameters en limietparameters, maar slegs die volgende hoofparameters moet by algemene gebruik besorg word: versadigde drein-bronstroom IDSS-afknypspanning Up, (aansluiting-tipe buise en uitputting) -tipe geïsoleerde hekbuise, of aanskakelspanning UT (versterkte geïsoleerde hekbuise), transgeleiding gm, lekbron-afbreekspanning BUDS, maksimum gedissipeerde krag PDSM, en maksimum drein-bron stroom IDSM.

(1) Versadigde dreinstroom

Die versadigde dreinstroom IDSS is die dreinstroom in 'n aansluiting of uitputting tipe geïsoleerde hek MOSFET wanneer die hekspanning UGS = 0.

(2) Afknipspanning

Die afknypspanning UP is die hekspanning in 'n aansluiting-tipe of uitputting-tipe geïsoleerde-hek MOSFET wat net tussen die drein en bron afsny. Soos getoon in 4-25 vir die N-kanaal buis UGS 'n ID-kromme, kan verstaan ​​word om die belangrikheid van IDSS en UP te sien

MOSFET vier streke

(3) Aanskakelspanning

Die aanskakelspanning UT is die hekspanning in 'n versterkte geïsoleerde-hek MOSFET wat die inter-drein-bron net geleidend maak.

(4) Transgeleiding

Die transgeleiding gm is die beheervermoë van die hekbronspanning UGS op die dreinstroom-ID, dit wil sê die verhouding van die verandering in die dreinstroom-ID tot die verandering in die hekbronspanning UGS. 9m is 'n belangrike parameter wat die versterkingsvermoë van dieMOSFET.

(5) Dreineerbron-afbreekspanning

Drein bron afbreekspanning BUDS verwys na die hek bron spanning UGS sekere, MOSFET normale werking kan die maksimum drein bron spanning aanvaar. Dit is 'n limietparameter, wat by die MOSFET-bedryfspanning gevoeg word, moet minder as BUDS wees.

(6) Maksimum Kragverspreiding

Maksimum kragdissipasie PDSM is ook 'n limiet parameter, verwys na dieMOSFETwerkverrigting verswak nie wanneer die maksimum toelaatbare lekkasiebron kragdissipasie. By die gebruik van die MOSFET moet praktiese kragverbruik minder wees as die PDSM en 'n sekere marge laat.

(7) Maksimum dreineerstroom

Maksimum lekstroom IDSM is nog 'n limietparameter, verwys na die normale werking van die MOSFET, die lekbron van die maksimum stroom wat toegelaat word om deur die MOSFET se bedryfsstroom te gaan, moet nie die IDSM oorskry nie.

MOSFET-bedryfsbeginsel

Die werkingsbeginsel van MOSFET (N-kanaalverbetering MOSFET) is om VGS te gebruik om die hoeveelheid "induktiewe lading" te beheer om die toestand van die geleidende kanaal wat deur hierdie "induktiewe lading" gevorm word, te verander en dan die doel te bereik om die dreinstroom te beheer. Die doel is om die dreinstroom te beheer. In die vervaardiging van buise, deur die proses van die maak van 'n groot aantal positiewe ione in die isolerende laag, so in die ander kant van die koppelvlak kan geïnduseer word meer negatiewe ladings, kan hierdie negatiewe ladings geïnduseer word.

Wanneer die hekspanning verander, verander die hoeveelheid lading wat in die kanaal geïnduseer word ook, die breedte van die geleidende kanaal verander ook, en dus verander die afvoerstroom ID met die hekspanning.

MOSFET-rol

I. MOSFET kan op amplifikasie toegepas word. As gevolg van die hoë insetimpedansie van die MOSFET-versterker, kan die koppelkapasitor kleiner kapasiteit hê, sonder die gebruik van elektrolitiese kapasitors.

Tweedens, die hoë insetimpedansie van MOSFET is baie geskik vir impedansie-omskakeling. Algemeen gebruik in multi-stadium versterker inset stadium vir impedansie omskakeling.

MOSFET kan as 'n veranderlike weerstand gebruik word.

Vierdens kan MOSFET maklik as 'n konstante stroombron gebruik word.

Vyfdens kan MOSFET as 'n elektroniese skakelaar gebruik word.