Wat is PMOSFET, weet jy?

I. Basiese struktuur en werkingsbeginsel

1. Basiese struktuur

PMOSFET's het n-tipe substrate en p-kanale, en hul struktuur bestaan ​​hoofsaaklik uit 'n hek (G), 'n bron (S) en 'n drein (D). Op die n-tipe silikon substraat is daar twee P+ streke wat onderskeidelik as bron en drein dien, en hulle is met mekaar verbind deur die p-kanaal. Die hek is bo die kanaal geleë en is van die kanaal geïsoleer deur 'n metaaloksied-isolerende laag.

2. Beginsels van werking

PMOSFET's werk soortgelyk aan NMOSFET's, maar met die teenoorgestelde tipe draers. In 'n PMOSFET is die hoofdraers gate. Wanneer 'n negatiewe spanning op die hek toegepas word met betrekking tot die bron, word 'n p-tipe inverse laag op die oppervlak van die n-tipe silikon onder die hek gevorm, wat dien as 'n sloot wat die bron en drein verbind. Die verandering van die hekspanning verander die digtheid van gate in die kanaal, en beheer daardeur die geleidingsvermoë van die kanaal. Wanneer die hekspanning laag genoeg is, bereik die digtheid van gate in die kanaal 'n hoog genoeg vlak om geleiding tussen die bron en drein toe te laat; omgekeerd, die kanaal sny af.

II. Eienskappe en toepassings

1. Eienskappe

Lae mobiliteit: P-kanaal MOS transistors het relatief lae gat mobiliteit, so die transgeleiding van PMOS transistors is kleiner as dié van NMOS transistors onder dieselfde geometrie en bedryfspanning.

Geskik vir lae-spoed, lae-frekwensie toepassings: As gevolg van die laer mobiliteit, PMOS geïntegreerde stroombane is meer geskik vir toepassings in lae-spoed, lae-frekwensie gebiede.

Geleidingstoestande: Die geleidingstoestande van PMOSFET's is teenoorgesteld van NMOSFET's, wat 'n hekspanning laer as die bronspanning vereis.

 

1. Aansoeke

Hoëkantskakeling: PMOSFET's word tipies gebruik in hoëkantskakelingkonfigurasies waar die bron aan die positiewe toevoer gekoppel is en die drein aan die positiewe kant van die las gekoppel is. Wanneer die PMOSFET gelei word, verbind dit die positiewe einde van die las aan die positiewe toevoer, sodat stroom deur die las vloei. Hierdie konfigurasie is baie algemeen in gebiede soos kragbestuur en motoraandrywings.

Omgekeerde beskermingskringe: PMOSFET's kan ook in omgekeerde beskermingskringe gebruik word om skade aan die stroombaan te voorkom wat veroorsaak word deur omgekeerde kragtoevoer of lasstroom terugvloei.

III. Ontwerp en oorwegings

1. HEKSPANNINGSBEHEER

Wanneer PMOSFET-kringe ontwerp word, word presiese beheer van die hekspanning vereis om behoorlike werking te verseker. Aangesien die geleidingstoestande van PMOSFETs teenoorgesteld is aan dié van NMOSFETs, moet aandag gegee word aan die polariteit en grootte van die hekspanning.

2. Laai verbinding

Wanneer die las gekoppel word, moet aandag gegee word aan die polariteit van die las om te verseker dat die stroom korrek deur die PMOSFET vloei, en die effek van die las op die werkverrigting van die PMOSFET, soos spanningsval, kragverbruik, ens. , moet ook oorweeg word.

3. Temperatuurstabiliteit

Die werkverrigting van PMOSFETs word grootliks deur temperatuur beïnvloed, dus moet die effek van temperatuur op die werkverrigting van PMOSFETs in ag geneem word wanneer stroombane ontwerp word, en ooreenstemmende maatreëls moet getref word om die temperatuurstabiliteit van die stroombane te verbeter.

4. Beskermingskringe

Om te voorkom dat PMOSFET's beskadig word deur oorstroom en oorspanning tydens werking, moet beskermingskringe soos oorstroombeskerming en oorspanningbeskerming in die stroombaan geïnstalleer word. Hierdie beskermingskringe kan die PMOSFET effektief beskerm en sy lewensduur verleng.

 

Ter opsomming, PMOSFET is 'n tipe MOSFET met spesiale struktuur en werksbeginsel. Die lae mobiliteit en geskiktheid vir lae-spoed, lae-frekwensie toepassings maak dit wyd toepaslik in spesifieke velde. Wanneer PMOSFET-stroombane ontwerp word, moet aandag gegee word aan hekspanningsbeheer, lasverbindings, temperatuurstabiliteit en beskermingsbane om behoorlike werking en betroubaarheid van die stroombaan te verseker.