Dit is 'n verpakteMOSFETpiro-elektriese infrarooi sensor.Die reghoekige raam is die waarnemingsvenster.Die G-pen is die grondterminaal, die D-pen is die interne MOSFET-afvoer, en die S-pen is die interne MOSFET-bron.In die stroombaan is G aan die grond gekoppel, D is aan die positiewe kragtoevoer gekoppel, infrarooi seine word vanaf die venster ingevoer en elektriese seine word vanaf S uitgevoer.
Oordeelspoort G
Die MOS-drywer speel hoofsaaklik die rol van golfvormvorming en aandryfverbetering: As die G-seingolfvorm van dieMOSFETnie steil genoeg is nie, sal dit 'n groot hoeveelheid kragverlies tydens die skakelfase veroorsaak.Die newe-effek daarvan is om die stroombaanomskakelingsdoeltreffendheid te verminder.Die MOSFET sal erge koors hê en maklik deur hitte beskadig word.Daar is 'n sekere kapasitansie tussen MOSFETGS., as die G-seinbestuurvermoë onvoldoende is, sal dit die golfvormspringtyd ernstig beïnvloed.
Kortsluit die GS-paal, kies die R×1-vlak van die multimeter, koppel die swart toetskabel aan die S-paal, en die rooi toetskabel aan die D-paal.Die weerstand moet 'n paar Ω tot meer as tien Ω wees.As daar gevind word dat die weerstand van 'n sekere pen en sy twee penne oneindig is, en dit is steeds oneindig na die omruil van die toetsleidings, word dit bevestig dat hierdie pen die G-pool is, want dit is geïsoleer van die ander twee penne.
Bepaal die bron S en dreineer D
Stel die multimeter op R×1k en meet die weerstand tussen die drie penne onderskeidelik.Gebruik die uitruiltoetsloodmetode om die weerstand twee keer te meet.Die een met 'n laer weerstandswaarde (gewoonlik 'n paar duisend Ω tot meer as tienduisend Ω) is die voorwaartse weerstand.Op hierdie tydstip is die swart toetskabel die S-pool en die rooi toetskabel is aan die D-pool gekoppel.As gevolg van verskillende toetstoestande is die gemete RDS(aan)-waarde hoër as die tipiese waarde wat in die handleiding gegee word.
OorMOSFET
Die transistor het N-tipe kanaal so dit word N-kanaal genoemMOSFET, ofNMOS.P-kanaal MOS (PMOS) FET bestaan ook, wat 'n PMOSFET is wat saamgestel is uit 'n liggies gedoteerde N-tipe BACKGATE en 'n P-tipe bron en drein.
Ongeag die N-tipe of P-tipe MOSFET, sy werksbeginsel is in wese dieselfde.MOSFET beheer die stroom by die drein van die uitsetterminaal deur die spanning wat aan die hek van die insetterminaal toegepas word.MOSFET is 'n spanningbeheerde toestel.Dit beheer die kenmerke van die toestel deur die spanning wat op die hek toegepas word.Dit veroorsaak nie die ladingbergingseffek wat deur die basisstroom veroorsaak word wanneer 'n transistor vir skakeling gebruik word nie.Daarom, in die oorskakeling van toepassings,MOSFET'smoet vinniger as transistors skakel.
Die FET kry ook sy naam van die feit dat sy inset (genoem die hek) die stroom wat deur die transistor vloei beïnvloed deur 'n elektriese veld op 'n isolerende laag te projekteer.Trouens, geen stroom vloei deur hierdie isolator nie, so die GATE-stroom van die VOO-buis is baie klein.
Die mees algemene FET gebruik 'n dun laag silikondioksied as 'n isolator onder die HEK.
Hierdie tipe transistor word 'n metaaloksied halfgeleier (MOS) transistor genoem, of metaaloksied halfgeleier veld effek transistor (MOSFET).Omdat MOSFET's kleiner en meer kragdoeltreffend is, het hulle bipolêre transistors in baie toepassings vervang.
Postyd: Nov-10-2023
