Om die operasionele beginsels van MOSFET's (metaal-oksied-halfgeleier-veld-effek-transistors) te verstaan, is noodsaaklik vir die doeltreffende gebruik van hierdie hoë-doeltreffendheid elektroniese komponente. MOSFET's is onontbeerlike elemente in elektroniese toestelle, en dit is noodsaaklik vir vervaardigers om dit te verstaan.
In die praktyk is daar vervaardigers wat dalk nie die spesifieke funksies van MOSFET's ten volle waardeer tydens hul toepassing nie. Nietemin, deur die werksbeginsels van MOSFET's in elektroniese toestelle en hul ooreenstemmende rolle te begryp, kan 'n mens strategies die mees geskikte MOSFET kies, met inagneming van sy unieke eienskappe en die spesifieke eienskappe van die produk. Hierdie metode verbeter die werkverrigting van die produk, wat sy mededingendheid in die mark versterk.
WINSOK SOT-23-3 pakket MOSFET
MOSFET-werkbeginsels
Wanneer die hek-bronspanning (VGS) van die MOSFET nul is, selfs met die toepassing van 'n drein-bronspanning (VDS), is daar altyd 'n PN-aansluiting in omgekeerde voorspanning, wat lei tot geen geleidende kanaal (en geen stroom) tussen die drein en bron van die MOSFET. In hierdie toestand is die afvoerstroom (ID) van die MOSFET nul. Die toepassing van 'n positiewe spanning tussen die hek en bron (VGS > 0) skep 'n elektriese veld in die SiO2 isolerende laag tussen die hek van die MOSFET en die silikon substraat, gerig vanaf die hek na die P-tipe silikon substraat. Aangesien die oksiedlaag isolerend is, kan die spanning wat op die hek, VGS, toegepas word, nie 'n stroom in die MOSFET genereer nie. In plaas daarvan vorm dit 'n kapasitor oor die oksiedlaag.
Soos VGS geleidelik toeneem, laai die kapasitor op, wat 'n elektriese veld skep. Aangetrek deur die positiewe spanning by die hek, versamel talle elektrone aan die ander kant van die kapasitor, wat 'n N-tipe geleidende kanaal van die drein na die bron in die MOSFET vorm. Wanneer VGS die drempelspanning VT oorskry (tipies rondom 2V), gelei die N-kanaal van die MOSFET, wat die vloei van afvoerstroom ID begin. Die hek-bronspanning waarteen die kanaal begin vorm, word na verwys as die drempelspanning VT. Deur die grootte van VGS te beheer, en gevolglik die elektriese veld, kan die grootte van die dreinstroom ID in die MOSFET gemoduleer word.
WINSOK DFN5x6-8 pakket MOSFET
MOSFET-toepassings
Die MOSFET is bekend vir sy uitstekende skakeleienskappe, wat lei tot sy uitgebreide toepassing in stroombane wat elektroniese skakelaars benodig, soos skakelmoduskragbronne. In laespanningtoepassings wat 'n 5V-kragbron gebruik, lei die gebruik van tradisionele strukture tot 'n spanningsval oor die basis-emittor van 'n bipolêre aansluitingstransistor (ongeveer 0.7V), wat slegs 4.3V laat vir die finale spanning wat aan die hek van die MOSFET. In sulke scenario's stel die keuse van 'n MOSFET met 'n nominale hekspanning van 4.5V sekere risiko's in. Hierdie uitdaging manifesteer ook in toepassings wat 3V of ander lae-spanning kragbronne behels.
Postyd: 27 Oktober 2023
