Herkenning van geïsoleerde laagpoort MOSFET's

Isolasie laag hek tipe MOSFET aliasMOSFET (hierna verwys as MOSFET), wat 'n kabelskede van silikondioksied in die middel van die hekspanning en bronafvoer het.

MOSFET is ookN-kanaal en P-kanaal twee kategorieë, maar elke kategorie word verdeel in verbetering en liguitputting tipe twee, dus is daar 'n totaal van vier tipes:N-kanaal verbetering, P-kanaal verbetering, N-kanaal lig uitputting, P-kanaal lig uitput tipe. Maar waar die hek bron spanning nul is, die drein stroom is ook nul van die pyp is verbeterde buis. Waar die hekbronspanning egter nul is, is die dreinstroom nie nul nie, word as ligverbruikende tipe buise gekategoriseer.
Verbeterde MOSFET-beginsel:

Wanneer daar in die middel van die hek gewerk word nie die spanning gebruik nie, is die middel van die drein bron PN aansluiting in die teenoorgestelde rigting, so daar sal geen geleidende kanaal wees nie, selfs al is die middel van die drein bron met 'n spanning, die geleidende sloot elektrisiteit gesluit is, is dit nie moontlik om 'n werkstroom volgens. Wanneer die middel van die hekbron plus positiewe rigtingspanning tot 'n sekere waarde, in die middel van die dreinbron 'n geleidende veiligheidskanaal sal produseer, sodat die geleidende sloot wat pas deur hierdie hekbronspanning geproduseer word die oopspanning VGS genoem word, die groter die middel van die hek bron spanning, die geleidende sloot is wyer, wat op sy beurt maak deur hoe groter die vloei van elektrisiteit.

Beginsel van ligdissipatiewe MOSFET:

In werking word geen spanning in die middel van die hekbron gebruik nie, anders as die verbetering tipe MOSFET, en 'n geleidende kanaal bestaan ​​in die middel van die drein bron, dus word slegs 'n positiewe spanning by die middel van die drein bron bygevoeg, wat lei tot 'n dreinstroomvloei. Verder, die hekbron in die middel van die positiewe rigting van die spanning, die geleidende kanaal uitbreiding, voeg die teenoorgestelde rigting van die spanning by, die geleidende kanaal krimp, deur die vloei van elektrisiteit sal kleiner wees, met die verbetering van MOSFET-vergelyking, dit kan ook in die positiewe en negatiewe getal van 'n sekere aantal streke binne die geleidende kanaal wees.

MOSFET doeltreffendheid:

Eerstens word MOSFET's gebruik om te vergroot. Omdat die insetweerstand van MOSFET-versterker baie hoog is, kan die filterkapasitor dus kleiner wees, sonder dat dit nodig is om elektrolitiese kapasitors toe te pas.

Tweedens is MOSFET baie hoë insetweerstand veral geskik vir die kenmerkende impedansie-omskakeling. Word algemeen gebruik in 'n multi-vlak versterker inset stadium vir kenmerkende impedansie omskakeling.

MOSFET kan as verstelbare weerstand gebruik word.

Vierdens kan MOSFET gerieflik wees as 'n GS-kragbron.

V. MOSFET kan as 'n skakelelement gebruik word.