Metaal-oksied-halfgeleierstruktuur van die kristaltransistor algemeen bekend asMOSFET, waar MOSFETs verdeel word in P-tipe MOSFETs en N-tipe MOSFETs. Die geïntegreerde stroombane wat uit MOSFET's saamgestel is, word ook MOSFET-geïntegreerde stroombane genoem, en die nou verwante MOSFET-geïntegreerde stroombane wat saamgestel is uit PMOSFET's enNMOSFET's word CMOSFET-geïntegreerde stroombane genoem.
'n MOSFET wat uit 'n p-tipe substraat en twee n-verspreidingsareas met hoë konsentrasiewaardes bestaan, word 'n n-kanaal genoemMOSFET, en die geleidende kanaal wat deur 'n n-tipe geleidende kanaal veroorsaak word, word veroorsaak deur die n-verspreidingspaaie in die twee n-verspreidingspaaie met hoë konsentrasiewaardes wanneer die buis gelei. n-kanaal verdikte MOSFET's het die n-kanaal wat veroorsaak word deur 'n geleidende kanaal wanneer 'n positiewe rigtingvoorspanning soveel as moontlik by die hek verhoog word en slegs wanneer die hekbronwerking 'n bedryfspanning vereis wat die drempelspanning oorskry. n-kanaal uitputting MOSFET's is dié wat nie gereed is vir die hekspanning nie (hekbronwerking vereis 'n bedryfspanning van nul). 'n N-kanaal liguitputting MOSFET is 'n n-kanaal MOSFET waarin die geleidende kanaal veroorsaak word wanneer die hekspanning (die hekbron bedryfsvereiste bedryfsspanning nul is) nie voorberei is nie.
NMOSFET geïntegreerde stroombane is N-kanaal MOSFET kragtoevoer stroombaan, NMOSFET geïntegreerde stroombane, die insetweerstand is baie hoog, die oorgrote meerderheid hoef nie die absorpsie van kragvloei te verteer nie, en dus CMOSFET en NMOSFET geïntegreerde stroombane verbind sonder om in te neem rekening hou met die las van kragvloei.NMOSFET geïntegreerde stroombane, die oorgrote meerderheid van die keuse van 'n enkelgroep positiewe skakel kragtoevoer kring kragtoevoer stroombane Die meerderheid van NMOSFET geïntegreerde stroombane gebruik 'n enkele positiewe skakel kragtoevoer kring kragtoevoer stroombaan, en om 9V vir meer. CMOSFET-geïntegreerde stroombane hoef net dieselfde skakelkragtoevoerkring-kragtoevoerkring as die NMOSFET-geïntegreerde stroombane te gebruik, kan onmiddellik met NMOSFET-geïntegreerde stroombane verbind word. Van NMOSFET na CMOSFET egter onmiddellik gekoppel, omdat die NMOSFET-uitset-optrekweerstand minder is as die CMOSFET-geïntegreerde stroombaan-gesleutelde optrekweerstand, so probeer om 'n potensiaalverskil optrekweerstand R toe te pas, die waarde van die weerstand R is gewoonlik 2 tot 100KΩ.
Konstruksie van N-kanaal verdikte MOSFET's
Op 'n P-tipe silikonsubstraat met 'n lae doteringkonsentrasiewaarde word twee N-streke met 'n hoë doteringkonsentrasiewaarde gemaak, en twee elektrodes word uit aluminiummetaal getrek om onderskeidelik as die drein d en die bron s te dien.
Dan in die halfgeleier komponent oppervlak maskering 'n baie dun laag van silika isolerende buis, in die drein - bron isolerende buis tussen die drein en bron van 'n ander aluminium elektrode, as die hek g.
In die substraat lei ook 'n elektrode B uit, wat bestaan uit 'n N-kanaal dik MOSFET. MOSFET-bron en substraat word oor die algemeen met mekaar verbind, die oorgrote meerderheid van die pyp in die fabriek is lankal daaraan gekoppel, sy hek en ander elektrodes is tussen die omhulsel geïsoleer.
Postyd: Mei-26-2024
