Vandag op die algemeen gebruik hoë-kragMOSFETom sy werkbeginsel kortliks bekend te stel. Kyk hoe dit sy eie werk realiseer.
Metaal-oksied-halfgeleier dit is, metaal-oksied-halfgeleier, presies, hierdie naam beskryf die struktuur van die MOSFET in die geïntegreerde stroombaan, dit wil sê: in 'n sekere struktuur van die halfgeleier toestel, tesame met silikondioksied en metaal, die vorming van die hek.
Die bron en drein van 'n MOSFET is opponeerbaar, beide is N-tipe sones wat in 'n P-tipe agterhek gevorm word. In die meeste gevalle is die twee areas dieselfde, selfs al sal die twee punte van die aanpassing nie die werkverrigting van die toestel beïnvloed nie, word so 'n toestel as simmetries beskou.
Klassifikasie: volgens die tipe kanaalmateriaal en tipe geïsoleerde hek van elke N-kanaal en P-kanaal twee; volgens die geleidende modus: MOSFET word verdeel in uitputting en verbetering, so MOSFET word verdeel in N-kanaal uitputting en verbetering; P-kanaal uitputting en verbetering van vier hoofkategorieë.
MOSFET beginsel van werking - die strukturele eienskappe vanMOSFETdit gelei slegs een polariteit draers (polys) betrokke by die geleidende, is 'n unipolêre transistor. Geleidingsmeganisme is dieselfde as die lae-krag MOSFET, maar die struktuur het 'n groot verskil, lae-krag MOSFET is 'n horisontale geleidende toestel, die meeste van die krag MOSFET vertikale geleidende struktuur, ook bekend as die VMOSFET, wat die MOSFET aansienlik verbeter toestel spanning en stroom weerstaan vermoë. Die belangrikste kenmerk is dat daar 'n laag silika-isolasie tussen die metaalhek en die kanaal is, en daarom het 'n hoë insetweerstand, die buis gelei in twee hoë konsentrasies van n diffusiesone om 'n n-tipe geleidende kanaal te vorm. n-kanaalverbeterings-MOSFET's moet met voorwaartse voorspanning op die hek toegepas word, en slegs wanneer die hekbronspanning groter is as die drempelspanning van die geleidende kanaal wat deur die n-kanaal-MOSFET gegenereer word. n-kanaal uitputting tipe MOSFET's is n-kanaal MOSFET's waarin geleidende kanale gegenereer word wanneer geen hekspanning toegepas word nie (hekbronspanning is nul).
Die beginsel van werking van die MOSFET is om die hoeveelheid "geïnduseerde lading" te beheer deur VGS te gebruik om die toestand van die geleidende kanaal wat deur die "geïnduseerde lading" gevorm word, te verander en dan die doel te bereik om die dreinstroom te beheer. In die vervaardiging van buise, deur die proses van isolerende laag in die opkoms van 'n groot aantal positiewe ione, so in die ander kant van die koppelvlak kan geïnduseer word meer negatiewe lading, hierdie negatiewe ladings tot die hoë penetrasie van onsuiwerhede in die N streek gekoppel aan die vorming van 'n geleidende kanaal, selfs in die VGS = 0 is daar ook 'n groot lekstroom ID. wanneer die hekspanning verander word, word die hoeveelheid lading wat in die kanaal geïnduseer word ook verander, en die geleidende kanaalwydte en smalheid van die kanaal en verander, en dus die lekstroom ID met die hekspanning. huidige ID wissel met die hekspanning.
Nou die toepassing vanMOSFEThet mense se leer, werkdoeltreffendheid aansienlik verbeter, terwyl ons lewensgehalte verbeter het. Ons het 'n meer gerasionaliseerde begrip daarvan deur een of ander eenvoudige begrip. Nie net sal dit gebruik word as 'n hulpmiddel nie, meer begrip van sy eienskappe, die beginsel van werk, wat ons ook baie pret sal gee.
Postyd: 18-Apr-2024
