Klein spanning MOSFET seleksie is 'n baie belangrike deel van dieMOSFETseleksie is nie goed nie, kan die doeltreffendheid en koste van die hele stroombaan beïnvloed, maar sal ook baie probleme vir die ingenieurs bring, dat hoe om die MOSFET korrek te kies?
Die keuse van N-kanaal of P-kanaal Die eerste stap in die keuse van die korrekte toestel vir 'n ontwerp is om te besluit of 'n N-kanaal of P-kanaal MOSFET te gebruik In 'n tipiese kragtoepassing vorm 'n MOSFET 'n laespanning-syskakelaar wanneer die MOSFET is geaard en die las is aan die stamspanning gekoppel. In 'n laespanning-syskakelaar moet 'n N-kanaal MOSFET gebruik word as gevolg van die oorweging van die spanning wat nodig is om die toestel af of aan te skakel.
Wanneer die MOSFET aan die bus gekoppel is en die las geaard is, moet die hoëspanning-syskakelaar gebruik word. P-kanaal MOSFET's word gewoonlik in hierdie topologie gebruik, weer vir spanningsdryfoorwegings. Bepaal die huidige gradering. Kies die huidige gradering van die MOSFET. Afhangende van die stroombaanstruktuur, moet hierdie stroomaanslag die maksimum stroom wees wat die las onder alle omstandighede kan weerstaan.
Soortgelyk aan die geval van spanning, moet die ontwerper verseker dat die geselekteerdeMOSFETkan hierdie stroomgradering weerstaan, selfs wanneer die stelsel piekstrome genereer. Die twee huidige gevalle om te oorweeg is deurlopende modus en polspunte. In deurlopende geleidingsmodus is die MOSFET in bestendige toestand, wanneer stroom voortdurend deur die toestel gaan.
Polspunte is wanneer daar groot oplewings (of stroompieke) deur die toestel vloei. Sodra die maksimum stroom onder hierdie toestande bepaal is, is dit bloot 'n kwessie om direk 'n toestel te kies wat hierdie maksimum stroom kan weerstaan. Bepaling van termiese vereistes Die keuse van 'n MOSFET vereis ook die berekening van die termiese vereistes van die stelsel. Die ontwerper moet twee verskillende scenario's oorweeg, die ergste geval en die ware geval. Dit word aanbeveel dat die ergste-geval-berekening gebruik word omdat dit 'n groter veiligheidsmarge bied en verseker dat die stelsel nie sal misluk nie. Daar is ook 'n paar metings om van bewus te wees op die MOSFET-datablad; soos die termiese weerstand tussen die halfgeleieraansluiting van die pakkettoestel en die omgewing, en die maksimum aansluitingstemperatuur. Om te besluit oor skakelwerkverrigting, is die laaste stap in die keuse van 'n MOSFET om te besluit oor die skakelwerkverrigting van dieMOSFET.
Daar is baie parameters wat skakelwerkverrigting beïnvloed, maar die belangrikste is hek/drein, hek/bron en drein/bronkapasitansie. Hierdie kapasitansies skep skakelverliese in die toestel omdat hulle tydens elke skakeling gelaai moet word. die skakelspoed van die MOSFET word dus verminder en die doeltreffendheid van die toestel verminder. Om die totale toestelverliese tydens omskakeling te bereken, moet die ontwerper die aanskakelverliese (Eon) en die afskakelverliese bereken.
Wanneer die waarde van vGS klein is, is die vermoë om elektrone te absorbeer nie sterk nie, lekkasie - bron tussen die steeds geen geleidende kanaal bied, vGS toename, geabsorbeer in die P substraat buitenste oppervlak laag van elektrone op die toename, wanneer die vGS bereik 'n sekere waarde, hierdie elektrone in die hek naby die P substraat voorkoms vorm 'n dun laag van N-tipe, en met die twee N + sone verbind Wanneer vGS 'n sekere waarde bereik, sal hierdie elektrone in die hek naby die P substraat voorkoms 'n N-tipe dun laag, en gekoppel aan die twee N + gebied, in die drein - bron vorm N-tipe geleidende kanaal, sy geleidende tipe en die teenoorgestelde van die P substraat, wat die anti-tipe laag. vGS is groter, die rol van die halfgeleier voorkoms van hoe sterker die elektriese veld, die absorpsie van elektrone aan die buitekant van die P substraat, hoe meer die geleidende kanaal is dikker, hoe laer die kanaal weerstand. Dit wil sê, N-kanaal MOSFET in vGS < VT, kan nie 'n geleidende kanaal uitmaak nie, die buis is in die afsnytoestand. So lank as wanneer vGS ≥ VT, slegs wanneer die kanaal samestelling. Nadat die kanaal saamgestel is, word 'n dreinstroom gegenereer deur 'n voorwaartse spanning vDS tussen die drein-bron by te voeg.
Maar Vgs bly toeneem, kom ons sê IRFPS40N60KVgs = 100V wanneer Vds = 0 en Vds = 400V, twee toestande, die buisfunksie om te bring watter effek, as dit verbrand word, die oorsaak en die interne meganisme van die proses is hoe om Vgs verhoog sal verminder Rds (aan) verminder skakelverliese, maar sal terselfdertyd die Qg verhoog, sodat die aanskakelverlies groter word, wat die doeltreffendheid van die MOSFET GS-spanning beïnvloed deurdat Vgg na Cgs laai en styg, by die onderhoudspanning Vth aangekom het. , MOSFET begin geleidend; MOSFET DS stroomtoename, Millier kapasitansie in die interval as gevolg van die ontlading van DS kapasitansie en ontlading, GS kapasitansie laai het nie veel impak nie; Qg = Cgs * Vgs, maar die lading sal aanhou opbou.
Die DS-spanning van die MOSFET daal tot dieselfde spanning as Vgs, die Millier-kapasitansie neem baie toe, die eksterne aandryfspanning hou op om die Millier-kapasitansie te laai, die spanning van die GS-kapasitansie bly onveranderd, die spanning op die Millier-kapasitansie verhoog, terwyl die spanning op die DS neem kapasitansie steeds af; die DS spanning van die MOSFET daal tot die spanning by versadigde geleiding, die Millier kapasitansie word kleiner Die DS spanning van die MOSFET daal tot die spanning by versadigingsgeleiding, die Millier kapasitansie word kleiner en word saam met die GS kapasitansie gelaai deur die eksterne aandrywer spanning, en die spanning op die GS kapasitansie styg; die spanningsmetingskanale is die huishoudelike 3D01, 4D01 en Nissan se 3SK-reeks.
G-pool (hek) bepaling: gebruik die diode rat van die multimeter. As 'n voet en die ander twee voete tussen die positiewe en negatiewe spanningsval groter as 2V is, dit wil sê die vertoning "1", is hierdie voet die hek G. En ruil dan die pen om die res van die twee voete te meet, die spanningsval is daardie tyd klein, die swart pen is gekoppel aan die D-pool (drein), die rooi pen is gekoppel aan die S-pool (bron).
Postyd: 26-Apr-2024
