N-tipe, P-tipe MOSFET-werkbeginsel van die essensie is dieselfde, MOSFET word hoofsaaklik by die insetkant van die hekspanning gevoeg om die uitsetkant van die dreinstroom suksesvol te beheer, MOSFET is 'n spanningsbeheerde toestel, deur die spanning bygevoeg na die hek om die kenmerke van die toestel te beheer, anders as die triode om skakeltyd te doen as gevolg van die basisstroom wat veroorsaak word deur die ladingstoor-effek, in omskakeling van toepassings, MOSFET's In skakeltoepassings,MOSFET's skakelspoed is vinniger as dié van triode.
In die skakelkragtoevoer, wat algemeen gebruik word MOSFET oop drein kring, die drein is gekoppel aan die las soos dit is, genoem oop drein, oop drein stroombaan, die las is gekoppel aan hoe hoog die spanning, in staat is om aan te skakel, skakel die lasstroom, is die ideale analoog skakeltoestel, wat die beginsel van die MOSFET is om skakeltoestelle te doen, die MOSFET om te skakel in die vorm van meer stroombane.
In terme van die omskakeling van kragtoevoertoepassings, vereis hierdie toepassing MOSFET's om periodiek uit te voer, af te skakel, soos GS-GS-kragtoevoer wat algemeen gebruik word in die basiese bok-omskakelaar, maak staat op twee MOSFET's om die skakelfunksie uit te voer, hierdie skakelaars afwisselend in die induktor om energie te stoor, die energie na die las vry te stel, kies dikwels honderde kHz of selfs meer as 1 MHz, hoofsaaklik omdat hoe hoër die frekwensie dan, hoe kleiner is die magnetiese komponente. Tydens normale werking is die MOSFET gelykstaande aan 'n geleier, byvoorbeeld hoë-krag MOSFET's, kleinspanning MOSFET's, stroombane, kragtoevoer is die minimum geleidingsverlies van die MOS.
MOSFET PDF-parameters, MOSFET-vervaardigers het die RDS (ON) parameter suksesvol aangeneem om die aan-toestand impedansie te definieer, vir die skakeling van toepassings, RDS (ON) is die belangrikste toestelkenmerk; datablaaie definieer RDS (AAN), die hek (of aandrywing) spanning VGS en stroom wat deur die skakelaar vloei is verwant, vir voldoende hekaandrywing is RDS (AAN) 'n relatief statiese parameter; MOSFET's wat in geleiding was, is geneig tot hitte-opwekking, en stadige toenemende aansluitingstemperature kan lei tot 'n toename in RDS (ON);MOSFET datablaaie spesifiseer die termiese impedansie-parameter, wat gedefinieer word as die vermoë van die halfgeleieraansluiting van die MOSFET-pakket om hitte te verdryf, en RθJC word eenvoudig gedefinieer as die aansluiting-tot-geval termiese impedansie.
1, die frekwensie is te hoog, soms oor-navolging van die volume, sal direk lei tot hoë frekwensie, MOSFET op die verlies toeneem, hoe groter die hitte, doen nie 'n goeie werk van voldoende hitte-afvoer ontwerp, hoë stroom, die nominale huidige waarde van die MOSFET, die behoefte aan goeie hitteafvoer om te kan bereik; ID is minder as die maksimum stroom, kan ernstige hitte wees, die behoefte aan voldoende hulp heatsinks.
2, MOSFET seleksie foute en foute in krag oordeel, MOSFET interne weerstand word nie ten volle oorweeg nie, sal direk lei tot verhoogde skakel impedansie, wanneer die hantering van MOSFET verwarming probleme.
3, as gevolg van kringontwerpprobleme, wat hitte tot gevolg het, sodat die MOSFET in 'n lineêre bedryfstoestand werk, nie in die skakeltoestand nie, wat 'n direkte oorsaak is van MOSFET-verhitting, byvoorbeeld, N-MOS doen skakeling, die G- vlakspanning moet 'n paar V hoër as die kragtoevoer wees, om ten volle te kan gelei, is die P-MOS anders; in die afwesigheid van 'n heeltemal oop, die spanningsval is te groot, wat sal lei tot kragverbruik, die ekwivalente DC impedansie is groter, die spanning val sal ook toeneem, U * I sal ook toeneem, die verlies sal lei tot hitte.
Postyd: Aug-01-2024
