Hoofparameters van MOSFET's en vergelyking met triodes

Veldeffektransistor afgekort asMOSFET.Daar is twee hooftipes: aansluitingsveldeffekbuise en metaaloksied-halfgeleierveldeffekbuise. Die MOSFET staan ook bekend as 'n unipolêre transistor met 'n meerderheid draers betrokke by die geleidingsvermoë. Hulle is spanning-beheerde halfgeleier toestelle. As gevolg van sy hoë insetweerstand, lae geraas, lae kragverbruik en ander eienskappe, maak dit 'n sterk mededinger vir bipolêre transistors en kragtransistors.

I. Hoofparameters van MOSFET

1, DC parameters

Versadigingsdreinstroom kan gedefinieer word as die dreinstroom wat ooreenstem met wanneer die spanning tussen hek en bron gelyk is aan nul en die spanning tussen drein en bron groter is as die afknypspanning.

Afknypspanning OP: Die UGS wat nodig is om die ID tot 'n klein stroom te verminder wanneer die UDS seker is;

Aanskakelspanning UT: UGS word vereis om ID tot 'n sekere waarde te bring wanneer UDS seker is.

2, AC-parameters

Laefrekwensie transgeleiding gm : Beskryf die beheereffek van hek- en bronspanning op dreineerstroom.

Inter-pool kapasitansie: die kapasitansie tussen die drie elektrodes van die MOSFET, hoe kleiner die waarde, hoe beter die werkverrigting.

3、 Beperk parameters

Dreineer, bronafbreekspanning: wanneer die dreinstroom skerp styg, sal dit stortvloed-afbreking veroorsaak wanneer die UDS.

Hek afbreekspanning: aansluiting veld effek buis normale werking, hek en bron tussen die PN aansluiting in die omgekeerde voorspanning toestand, die stroom is te groot om afbreek te produseer.

II. Eienskappe vanMOSFET's

MOSFET het 'n versterkingsfunksie en kan 'n versterkte stroombaan vorm. In vergelyking met 'n triode, het dit die volgende eienskappe.

(1) Die MOSFET is 'n spanningbeheerde toestel, en die potensiaal word deur UGS beheer;

(2) Die stroom by die inset van die MOSFET is uiters klein, so sy insetweerstand is baie hoog;

(3) Sy temperatuurstabiliteit is goed omdat dit meerderheidsdraers vir geleidingsvermoë gebruik;

(4) Die spanningsversterkingskoëffisiënt van sy versterkingskring is kleiner as dié van 'n triode;

(5) Dit is meer bestand teen straling.

Derdens,MOSFET en transistor vergelyking

(1) MOSFET bron, hek, drein en triode bron, basis, stelpunt pool stem ooreen met die rol van soortgelyke.

(2) MOSFET is 'n spanningsbeheerde stroomtoestel, die versterkingskoëffisiënt is klein, die versterkingsvermoë is swak; triode is 'n stroom-beheerde spanning toestel, die versterking vermoë is sterk.

(3) MOSFET-hek neem basies nie stroom nie; en triode werk, sal die basis 'n sekere stroom absorbeer. Daarom is die MOSFET-hek-insetweerstand hoër as die triode-insetweerstand.

(4) Die geleidingsproses van MOSFET het die deelname van politron, en die triode het die deelname van twee soorte draers, politron en oligotron, en die konsentrasie van oligotron word grootliks beïnvloed deur die temperatuur, bestraling en ander faktore, dus MOSFET het beter temperatuurstabiliteit en stralingsweerstand as transistor. MOSFET moet gekies word wanneer die omgewingstoestande baie verander.

(5) Wanneer MOSFET aan die bronmetaal en die substraat gekoppel is, kan die bron en drein uitgeruil word en die eienskappe verander nie veel nie, terwyl wanneer die kollektor en emitter van die transistor omgeruil word, die eienskappe verskil en die β-waarde word verminder.

(6) Die geraassyfer van MOSFET is klein.

(7) MOSFET en triode kan saamgestel word uit 'n verskeidenheid van versterkerkringe en skakelkringe, maar eersgenoemde verbruik minder krag, hoë termiese stabiliteit, wye reeks toevoerspanning, dus word dit wyd gebruik in grootskaalse en ultragroot- skaal geïntegreerde stroombane.

(8) Die aan-weerstand van die triode is groot, en die aan-weerstand van die MOSFET is klein, dus word MOSFET's oor die algemeen as skakelaars met hoër doeltreffendheid gebruik.