MOSFET's (metaal-oksied-halfgeleier veld-effek transistor) word dikwels beskou as ten volle beheerde toestelle. Dit is omdat die bedryfstoestand (aan of af) van die MOSFET heeltemal deur die hekspanning (Vgs) beheer word en nie afhang van die basisstroom soos in die geval van 'n bipolêre transistor (BJT).
In 'n MOSFET bepaal die hekspanning Vgs of 'n geleidende kanaal tussen die bron en drein gevorm word, sowel as die breedte en geleidingsvermoë van die geleidingskanaal. Wanneer Vgs die drempelspanning Vt oorskry, word die geleidende kanaal gevorm en die MOSFET gaan die aan-toestand binne; wanneer Vgs onder Vt val, verdwyn die geleidingskanaal en is die MOSFET in die afsnytoestand. Hierdie beheer word ten volle beheer omdat die hekspanning onafhanklik en presies die bedryfstoestand van die MOSFET kan beheer sonder om op ander stroom- of spanningparameters staat te maak.
Daarteenoor word die bedryfstoestand van halfbeheerde toestelle (bv. tiristors) nie net deur die beheerspanning of -stroom beïnvloed nie, maar ook deur ander faktore (bv. anodespanning, stroom, ens.). Gevolglik bied ten volle beheerde toestelle (bv. MOSFET's) gewoonlik beter werkverrigting in terme van beheer akkuraatheid en buigsaamheid.
Ter opsomming, MOSFET's is ten volle beheerde toestelle waarvan die bedryfstoestand heeltemal deur die hekspanning beheer word, en het die voordele van hoë akkuraatheid, hoë buigsaamheid en lae kragverbruik.