Verskille tussen IGBT en MOSFET

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) en MOSFET (Metaal-oksied-halfgeleier veld-effek transistor) is twee algemene krag halfgeleier toestelle wat wyd gebruik word in krag elektronika. Alhoewel beide noodsaaklike komponente in verskeie toepassings is, verskil hulle aansienlik in verskeie aspekte. Hieronder is die primêre verskille tussen IGBT en MOSFET:

1. Werksbeginsel

- IGBT: IGBT kombineer die eienskappe van beide 'n BJT (Bipolar Junction Transistor) en 'n MOSFET, wat dit 'n hibriede toestel maak. Dit beheer die basis van die BJT deur die hekspanning van 'n MOSFET, wat op sy beurt die BJT se geleiding en afsny beheer. Alhoewel die geleiding- en afsnyprosesse van 'n IGBT relatief kompleks is, beskik dit oor lae geleidingspanningsverliese en hoëspanningstoleransie.

- MOSFET: MOSFET is 'n veld-effek transistor wat stroom in 'n halfgeleier deur hekspanning beheer. Wanneer die hekspanning die bronspanning oorskry, vorm 'n geleidende laag wat stroom laat vloei. Omgekeerd, wanneer die hekspanning onder die drempel is, verdwyn die geleidende laag en kan stroom nie vloei nie. Die werking van 'n MOSFET is relatief eenvoudig, met vinnige skakelspoed.

2. Toepassingsgebiede

- IGBT: As gevolg van sy hoë spanning toleransie, lae geleiding spanning verlies, en vinnige skakel werkverrigting, IGBT is veral geskik vir hoë-krag, lae-verlies toepassings soos omsetters, motor drywers, sweismasjiene, en ononderbroke kragbronne (UPS) . In hierdie toepassings bestuur IGBT hoëspanning- en hoëstroomskakeloperasies doeltreffend.

- MOSFET: MOSFET, met sy vinnige reaksie, hoë insetweerstand, stabiele skakelwerkverrigting en lae koste, word wyd gebruik in lae-krag, vinnig-skakeling toepassings soos skakel-modus kragbronne, beligting, oudio versterkers, en logiese stroombane . MOSFET presteer buitengewoon goed in laekrag- en laespanningtoepassings.