WSD6060DN56 N-kanaal 60V 65A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET produk oorsig
Die spanning van WSD6060DN56 MOSFET is 60V, die stroom is 65A, die weerstand is 7.5mΩ, die kanaal is N-kanaal, en die pakket is DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET toepassingsareas
E-sigarette MOSFET, draadlose laai MOSFET, motors MOSFET, hommeltuie MOSFET, mediese sorg MOSFET, motorlaaiers MOSFET, beheerders MOSFET, digitale produkte MOSFET, klein huishoudelike toestelle MOSFET, verbruikerselektronika MOSFET.
WINSOK MOSFET stem ooreen met ander handelsmerkmateriaalnommers
STMicroelectronics MOSFET STL5DN6F7.PANJIT MOSFET PSMQC73N6NS1.POTENS Halfgeleier MOSFET PDC696X.
MOSFET parameters
Simbool | Parameter | Gradering | Eenheid | |
Algemene graderings | ||||
VDSS | Dreineerbronspanning | 60 | V | |
VGSS | Hek-bron spanning | ±20 | V | |
TJ | Maksimum aansluitingstemperatuur | 150 | °C | |
TSTG | Bergingstemperatuurreeks | -55 tot 150 | °C | |
IS | Diode Deurlopende Voorwaartse Stroom | Tc=25°C | 30 | A |
ID | Deurlopende dreinstroom | Tc=25°C | 65 | A |
Tc=70°C | 42 | |||
Ek DM b | Polsafvoerstroom getoets | Tc=25°C | 250 | A |
PD | Maksimum kragverspreiding | Tc=25°C | 62,5 | W |
TC=70°C | 38 | |||
RqJL | Termiese weerstand-aansluiting tot lood | Bestendige toestand | 2.1 | °C/W |
RqJA | Termiese weerstand-aansluiting tot omgewing | t £ 10s | 45 | °C/W |
Bestendige toestandb | 50 | |||
EK AS d | Sneeustroomstroom, Enkel polsslag | L=0,5mH | 18 | A |
E AS d | Avalanche Energy, Enkele pols | L=0,5mH | 81 | mJ |
Simbool | Parameter | Toetsvoorwaardes | Min. | Tipe. | Maks. | Eenheid | |
Statiese kenmerke | |||||||
BVDSS | Dreineerbron-afbreekspanning | VGS=0V, ekDS=250mA | 60 | - | - | V | |
IDSS | Nulhekspanning dreineerstroom | VDS=48V, VGS=0V | - | - | 1 | mA | |
TJ=85°C | - | - | 30 | ||||
VGS(de) | Hekdrempelspanning | VDS=VGS, ekDS=250mA | 1.2 | 1.5 | 2.5 | V | |
IGSS | Hek lekstroom | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA | |
R DS(AAN) 3 | Dreineer-Bron On-State Weerstand | VGS=10V, IDS=20A | - | 7.5 | 10 | m W | |
VGS=4.5V, IDS=15 A | - | 10 | 15 | ||||
Diode-kenmerke | |||||||
V SD | Diode vorentoe spanning | ISD=1A, VGS=0V | - | 0,75 | 1.2 | V | |
trr | Omgekeerde hersteltyd | ISD=20A, dlSD /dt=100A/µs | - | 42 | - | ns | |
Qrr | Omgekeerde herstelheffing | - | 36 | - | nC | ||
Dinamiese kenmerke3,4 | |||||||
RG | Hekweerstand | VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz | - | 1.5 | - | W | |
Ciss | Insetkapasitansie | VGS=0V, VDS=30V, F=1.0MHz Ω | - | 1340 | - | pF | |
Cons | Uitsetkapasitansie | - | 270 | - | |||
Crss | Omgekeerde oordragkapasitansie | - | 40 | - | |||
td(AAN) | Aanskakel Vertragingstyd | VDD=30V, IDS=1A, VGEN=10V, RG=6Ω. | - | 15 | - | ns | |
tr | Aanskakel opstaantyd | - | 6 | - | |||
td (AF) | Afskakel Vertragingstyd | - | 33 | - | |||
tf | Afskakel Herfstyd | - | 30 | - | |||
Heklaai-eienskappe 3,4 | |||||||
Qg | Totale hekheffing | VDS=30V, VGS=4.5V, IDS=20A | - | 13 | - | nC | |
Qg | Totale hekheffing | VDS=30V, VGS=10V, IDS=20A | - | 27 | - | ||
Qgth | Drempelhekheffing | - | 4.1 | - | |||
Qgs | Hekbronheffing | - | 5 | - | |||
Qgd | Hek-dreinheffing | - | 4.2 | - |