Vinnige laaitegnologie, as 'n kerndeel van moderne elektroniese toerusting, ontwikkel en ontwikkel vinnig. Gedryf deur die vinnige laai-mark, eis nywerhede soos slimfone en elektriese voertuie toenemend vinnige en doeltreffende laai-oplossings. Innovasie in vinnige laai-tegnologie fokus nie net op die verbetering van laaispoed nie, maar beklemtoon ook veiligheid. As ons na die toekoms kyk, sal vinnige laai-tegnologie gekombineer word met draadlose laai en doeltreffender batterytegnologie om 'n kwalitatiewe sprong te bereik en gebruikers 'n geriefliker en omgewingsvriendeliker laai-ervaring te bied. Met die ontwikkeling van tegnologie en die uitbreiding van die mark, word verwag dat die snellaaibedryf sal voortgaan om vinnige groei te handhaaf.
Wanneer ons praat oor die toepassing vanMOSFETin vinnige laai-tegnologie is daar eintlik verskeie hoofpyne.
Eerstens, omdat vinnige laai 'n groot stroom vereis, is dieMOSFETsal baie warm word, en hoe om hierdie hitte te hanteer word 'n groot probleem. Dan is daar ook doeltreffendheidsuitdagings. Wanneer vinnig oorskakel, verloor die MOSFET maklik 'n deel van sy energie, wat die laaidoeltreffendheid beïnvloed. Boonop hoop snellaaitoerusting om so klein as moontlik te wees, maar dit vereis dat die MOSFET klein moet wees en ook die hitteprobleem moet hanteer. Omdat MOSFET vinnig skakel, kan dit met ander elektroniese toerusting inmeng, wat ook 'n probleem is. Laastens het die vinnige laai-omgewing hoë vereistes vir die weerstaanspanning en stroom van MOSFET's, wat 'n toets vir hul werkverrigting is. Om vir 'n lang tyd in hierdie omgewing te werk, kan ook hul dienslewe en betroubaarheid beïnvloed. Kortom, hoewel MOSFET van kritieke belang is vir vinnige laai, staar dit wel baie uitdagings in die gesig.
WINSOKMOSFET kan jou dalk help om bogenoemde probleme op te los. Die belangrikste toepassingsmodelle van WINSOK MOSFET in vinnige laai is:
| Onderdeelnommer | Konfigurasie | Tik | VDS | ID (A) | VGS(de)(v) | RDS(AAN)(mΩ) | Ciss | Pakket | |||
| @10V | |||||||||||
| (V) | Maks. | Min. | Tipe. | Maks. | Tipe. | Maks. | (pF) | ||||
| Enkellopend | N-Ch | 30 | 50 | 1.5 | 1.8 | 2.5 | 6.7 | 8.5 | 1200 | DFN3X3-8 | |
| Enkellopend | P-Ch | -30 | -40 | -1.3 | -1.8 | -2.3 | 11 | 14 | 1380 | DFN3X3-8 | |
| Enkellopend | N-Ch | 60 | 18 | 1 | 2 | 3 | 7 | 9 | 3760 | SOP-8 | |
| Enkellopend | N-Ch | 100 | 16 | 1.4 | 1.7 | 2.5 | 8.9 | 11 | 4000 | SOP-8 | |
| Enkellopend | P-Ch | -30 | -8.2 | -1.5 | -2 | -2.5 | 16 | 20 | 2050 | SOP-8 | |
| Enkellopend | P-Ch | -30 | -13 | -1.2 | -2 | -2.5 | 9.6 | 15 | 1550 | SOP-8 | |
| N+P | N-Ch | 30 | 7 | 1 | 1.5 | 2.5 | 18 | 28 | 550 | SOP-8 | |
| P-Ch | -30 | -6 | -1 | -1.5 | -2.5 | 30 | 38 | 645 | |||
| Enkellopend | N-Ch | 100 | 85 | 2 | 3 | 4 | 10 | 13 | 2100 | TOT-220 | |
Ander handelsmerkmateriaalnommers wat ooreenstem met die bogenoemde WINSOK MOSFET is:
Die ooreenstemmende materiaalnommers van WINSOK MOSFET WSD3050DN is:AOS AON7318,AON7418,AON7428,AON7440,AON7520,AON7528,AON7544,AON7542.Onsemi,FAIRCHILD NTTFS4939AY0939N.4939N 8-30MLC.TOSHIBA TPN4R303NL.PANJIT PJQ4408P.NIKO- SEM PE5G6EA.
Die ooreenstemmende materiaalnommers van WINSOK MOSFET WSD30L40DN is:AOS AON7405,AONR21357,AON7403,AONR21305C.ST Microelectronics STL9P3LLH6.PANJIT PJQ4403P.NIKO-SEMBA, P1203EEA.
Die ooreenstemmende materiaalnommers van WINSOK MOSFET WSP6020 is:AOS AO4262E,AO4264E,AO4268.Onsemi,FAIRCHILD FDS86450.PANJIT PJL9436.NIKO-SEM P0706BV.Potens Semiconductor PDS69.
Die ooreenstemmende materiaalnommers van WINSOK MOSFET WSP16N10 is:AOS AO4290,AO4290A,AO4294,AO4296.VISHAY Si4190ADY.Potens Semiconductor PDS0960.DINTEK ELECTRONICS DTM1012.
Die ooreenstemmende materiaalnommers van WINSOK MOSFET WSP4435 is:AOS AO4335,AO4403,AO4405,AO4411,AO4419,AO4435,AO4449,AO4459,AO4803,AO48003A,A4003A,A4O481,A4O481,A4803A,A4803A,A4803A,A4803A,A4803A,A4803A,A4803A,A4803A,A4803A ,FDS6685.VISHAY Si4431CDY.ST Mikro-elektronika STS10P3LLH6,STS5P3LLH6 ,STS6P3LLH6,STS9P3LLH6.TOSHIBA TPC8089-H.PANJIT PJL9411.Sinopower SM4310PSK.NIKO-SEM P3203EVG.Potens Halfgeleier PDS3907.DINTEK ELECTRONICS DTM4435.
Die ooreenstemmende materiaalnommers van WINSOK MOSFET WSP4407 is:AOS AO4407,AO4407A,AOSP21321,AOSP21307.Onsemi,FAIRCHILD FDS6673BZ.VISHAY Si4825DDY.ST Microelectronics STS10P6ST3ST3ST3ST3ST3ST3ST3ST3ST3ST3ST3ST3SST3ST3ST3ST3ST3SST3ST3ST3ST3SST3ST3ST3SST3SST3ST3SST3ST3ST3ST3S3ST10S3ST10S3ST10S3ST10S3ST3S3ST10S3ST10S3ST3S3ST10S3ST3S3ST10S3ST, 6PHLL, FAIRCHILD FDS6673BZ. H6.TOSHIBA TPC8125.PANJIT PJL94153.Sinopower SM4305PSK.NIKO-SEM PV507BA ,P1003EVG.Potens Halfgeleier PDS4903.DINTEK ELECTRONICS DTM4407,DTM4415,DTM4417.
Die ooreenstemmende materiaalnommers van WINSOK MOSFET WSP4606 is:AOS AO4606,AO4630,AO4620,AO4924,AO4627,AO4629,AO4616.Onsemi,FAIRCHILD ECH8661,FDS8958A.JSMIT6D6DJ4DJ4DJ4DJ4DJ4DJ4DJ6D 901CSK.NIKO-SEM P5003QVG.Potens Halfgeleier PDS3710. DINTEK ELECTRONICS DTM4606, DTM4606BD, DTM4606BDY.
Die ooreenstemmende materiaalnommers van WINSOK MOSFET WSR80N10 is:AOS AOTF290L.Onsemi,FAIRCHILD FDP365IU.ST Microelectronics STP80N10F7.Nxperian PSMN9R5-100PS.INFINEON,IR IPP086N10PN3 G.10PN3 G.5PN06 PS.TOSHIBA TK100E08N1,TK100A08N1.Potens Halfgeleier PDP0966.
Postyd: Nov-28-2023
